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  • Hochpräzisions-Keramikring aus Aluminiumoxid, Keramikteile

    Hochpräzisions-Keramikring aus Aluminiumoxid, Keramikteile

    Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.

    Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.

  • ST.CERA Kundenspezifische Halbleiteranlagen Keramikspannfutter

    ST.CERA Kundenspezifische Halbleiteranlagen Keramikspannfutter

    Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.

    Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.

  • Endeffektor aus Siliziumkarbid (SiC)-Keramik – Hohe Steifigkeit für die Waferhandhabung bei hohen Temperaturen

    Endeffektor aus Siliziumkarbid (SiC)-Keramik – Hohe Steifigkeit für die Waferhandhabung bei hohen Temperaturen

    Der SiC-Keramik-Endeffektor von St.Cera wird aus hochreinem Siliciumcarbid (SiC-Gehalt 99,72 %, freies Si 0,05 %) aus dem Ausgangsmaterial S1111 gefertigt. Er zeichnet sich durch hervorragende mechanische Eigenschaften aus: Biegefestigkeit 449 MPa (gemessen), Elastizitätsmodul 457 GPa (gemessen) und Vickershärte 25–28 GPa (typisch). Die geringe Dichte (3,10–3,15 g/cm³, typisch) sorgt für eine hohe spezifische Steifigkeit, ideal für Hochgeschwindigkeits-Wafer-Transferroboter. Mit einer Wärmeleitfähigkeit von 120–150 W/m·K (typisch) und einem Wärmeausdehnungskoeffizienten von 4,0–4,5 × 10⁻⁶/°C (typisch) leitet dieser Endeffektor Wärme effektiv ab und gewährleistet Dimensionsstabilität bei der Handhabung hoher Temperaturen (bis zu 1600–1700 °C, unbelastet). Die schwarz/graue Farbe und die fehlende Wasseraufnahme gewährleisten die Reinraumtauglichkeit.

  • Vakuumspannfutter aus Siliziumkarbid (SiC) für Hochtemperatur- und Plasmaumgebungen

    Vakuumspannfutter aus Siliziumkarbid (SiC) für Hochtemperatur- und Plasmaumgebungen

    Der SiC-basierte Keramik-Chuck von St.Cera wird aus hochreinem Siliciumcarbid (Charge S1111, SiC 99,72 %, freies Si 0,05 %) gefertigt. Er weist eine Biegefestigkeit von 449 MPa, eine Bruchzähigkeit von 3,12 MPa·m¹/² und einen Elastizitätsmodul von 457 GPa auf. Die typische Wärmeleitfähigkeit (120–150 W/m·K) und die geringe Wärmeausdehnung (4,0–4,5 × 10⁻⁶/℃) des Materials ermöglichen schnelle Temperaturänderungen und minimale Waferverformung während der Temperaturzyklen. Der Chuck kann als poröser Vakuum-Chuck (gleichmäßiger Gasfluss) oder als gerillter Standard-Chuck konfiguriert werden. Mit einer maximalen Einsatztemperatur von 1600–1700°C (Leerlauf) und außergewöhnlicher Beständigkeit gegen Plasmaerosion ist dieses Chuck ideal für die Hochtemperatur-Waferbearbeitung (Glühen, RTP) und aggressive Ätzkammern, in denen Aluminiumoxid-Chucks verschleißen.

  • Halbleiteranlagen, Keramik-Ersatzteile, Keramikträger

    Halbleiteranlagen, Keramik-Ersatzteile, Keramikträger

    Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.

    Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.

  • Metallverstärkter Schleifring aus Aluminiumoxid-Keramik für hochsteife Läppanwendungen

    Metallverstärkter Schleifring aus Aluminiumoxid-Keramik für hochsteife Läppanwendungen

    Der metallbasierte Aluminiumoxid-Schleifring von St.Cera kombiniert eine hochreine Aluminiumoxid-Keramik-Verschleißschicht (99,8 % Al₂O₃) mit einer präzisionsgefertigten Metallrückseite (typischerweise Aluminium oder Edelstahl). Diese Hybridkonstruktion bietet die außergewöhnliche Verschleißfestigkeit und chemische Inertheit der Keramik auf der Schleiffläche, während die Metallrückseite für mechanische Festigkeit, einfache Montage und Beständigkeit gegen Sprödbruch sorgt. Die Aluminiumoxidschicht weist eine Biegefestigkeit von 361 MPa, eine Vickershärte von 16 GPa und eine thermische Stabilität bis 800 °C auf. Die Metallrückseite ist kundenspezifisch mit Befestigungslöchern, Positionierstiften oder magnetischen Eigenschaften für die Integration in Läppmaschinen, Planetenschleifmaschinen und CMP-Anlagen erhältlich.

  • Keramische Ersatzteile für Halbleiter-Probestationen

    Keramische Ersatzteile für Halbleiter-Probestationen

    Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.

    Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.

  • Kundenspezifische Bearbeitung von Al2O3-Keramik-Wafer-Chucks

    Kundenspezifische Bearbeitung von Al2O3-Keramik-Wafer-Chucks

    Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.

    Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.

  • ST.CERA Kundenspezifische Halbleiteranlagen-Keramikplatte

    ST.CERA Kundenspezifische Halbleiteranlagen-Keramikplatte

    Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.

    Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.

  • 12-Zoll-Vakuumspannfutter aus Aluminiumoxid für die 300-mm-Waferbearbeitung

    12-Zoll-Vakuumspannfutter aus Aluminiumoxid für die 300-mm-Waferbearbeitung

    Der 12-Zoll-Vakuumspannfutter von St.Cera ist präzisionsgefertigt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃, 99,8 %) und für die Handhabung von 300-mm-Wafern ausgelegt. Die fein gerillte Oberfläche (Rillenbreite 0,5–1,0 mm, Teilung 2–3 mm) gewährleistet eine gleichmäßige Vakuumverteilung über den gesamten Durchmesser von 300 mm. Die Planheit liegt innerhalb von 5 μm, wodurch eine verzugsfreie Waferfixierung beim Vereinzeln, Rückseitenschleifen und der Inspektion ermöglicht wird. Die hohe Biegefestigkeit (361 MPa) und Härte (16 GPa) des Materials garantieren langfristige Dimensionsstabilität auch bei wiederholten Vakuumzyklen.

  • Aluminiumoxid-Keramik-Endeffektor mit integrierten Vakuumkanälen

    Aluminiumoxid-Keramik-Endeffektor mit integrierten Vakuumkanälen

    Der Vakuum-Endeffektor von St.Cera aus Aluminiumoxid integriert präzisionsgefertigte Vakuumkanäle und Saugöffnungen direkt in den hochreinen Aluminiumoxidkörper (99,8 %). Diese Konstruktion macht externe Vakuumpads überflüssig und ermöglicht die direkte Aufnahme von Wafern mit gleichmäßiger Haltekraft. Die hohe Biegefestigkeit (361 MPa) und Härte (16 GPa) des Materials gewährleisten langfristige Dimensionsstabilität auch bei wiederholten Vakuumzyklen. Die Ebenheit der Padfläche liegt innerhalb von 10 μm, wodurch Spannungen und Brüche der Wafer vermieden werden. Die Vakuumanschlüsse befinden sich am hinteren Montageflansch und ermöglichen so die einfache Integration in OEM-Roboterarme.

  • ESD-sichere Aluminiumoxid-Keramikteile für die Handhabung statisch empfindlicher Wafer

    ESD-sichere Aluminiumoxid-Keramikteile für die Handhabung statisch empfindlicher Wafer

    Die ESD-sicheren (elektrostatisch entladungssicheren) Aluminiumoxid-Keramikteile von St.Cera werden aus hochreinem Al₂O₃ (99,8 %) mit einem speziell angepassten Oberflächenwiderstand von 10⁶–10⁹ Ω/sq gefertigt. Dieser Wert wird durch ein firmeneigenes Dotierungs- oder Beschichtungsverfahren erzielt. Die Teile leiten statische Ladungen effektiv ab und verhindern so elektrostatische Schäden an empfindlichen Halbleiterwafern und -bauelementen. Das Basismaterial behält seine hohe Biegefestigkeit (361 MPa), Härte (16 GPa) und Durchschlagsfestigkeit (15 × 10⁶ V/m). Zu den ESD-sicheren Keramikteilen gehören Endeffektoren, Hubstifte, Führungsschienen und kundenspezifische Vorrichtungen für die Automatisierung in der Halbleiterfertigung.