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Keramische Ersatzteile für Halbleiter-Sonden
Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.
Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.
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Träger für Halbleiteranlagen mit Keramikplatte
Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.
Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.
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Keramik-Ersatzteile für Halbleiteranlagen
Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.
Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.
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Hochreiner Aluminiumoxid-Keramik-Dichtungsring für die Abdichtung von Hochtemperaturkammern
Der Keramik-Dichtungsring von St.Cera ist als Alternative zu Polymer-O-Ringen für extreme Umgebungen konzipiert, in denen Elastomere korrodieren. Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃) mit einem Reinheitsgrad von 99,8 %, wird dieser starre Dichtring in statischen Dichtungsanwendungen eingesetzt – typischerweise in Kombination mit einer Weichmetall- oder Graphitdichtung – um zuverlässige Vakuum- oder Gasdichtheit bei Temperaturen bis zu 800 °C und in aggressiven Plasma- oder chemischen Umgebungen zu gewährleisten. Das Material ist ausgasfrei, weist eine hohe Druckfestigkeit (zugrundeliegende Biegefestigkeit 361 MPa) und chemische Inertheit auf (beständig gegen Halogene, Säuren und Laugen außer HF). Präzisionsgeläppte Dichtflächen (Ebenheit ≤ 5 μm, Oberflächenrauheit Ra ≤ 0,2 μm) gewährleisten einen leckagefreien Kontakt mit den entsprechenden Metall- oder Keramikkomponenten.
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Fokusring für hochreine Aluminiumoxidkammer für Plasmaätz- und CVD-Systeme
Der Kammerfokusring von St.Cera ist eine wichtige Komponente von Prozesskits für Plasmaätz-, CVD- und PVD-Halbleiteranlagen. Gefertigt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃) mit einem Reinheitsgrad von 99,8 %, umschließt der Ring den Waferrand, um das Plasma einzuschließen und die Winkelverteilung der Ionen zu optimieren. Dadurch wird die Ätzgleichmäßigkeit auf der gesamten Waferoberfläche verbessert. Das Material zeichnet sich durch außergewöhnliche Plasmabeständigkeit, hohe Durchschlagsfestigkeit (15 × 10⁶ V/m) und thermische Stabilität bis 1600 °C aus und gewährleistet so langfristige Zuverlässigkeit in aggressiven fluor- oder chlorbasierten Plasmaumgebungen. Präzisionsgeschliffene Innen- und Außendurchmesser sowie eine Planheit (≤ 10 μm) ermöglichen eine genaue Positionierung des Waferrandes und reduzieren Randdefekte und Partikelbildung.
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Hochreiner Aluminiumoxid-Keramikring für CVD-/PVD-Prozesskammern
Der Keramikring von St.Cera wurde speziell für den Einsatz in CVD- (Chemical Vapor Deposition) und PVD-Prozesskammern (Physical Vapor Deposition) entwickelt. Gefertigt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃) mit einem Reinheitsgrad von 99,8 %, dient dieser Ring als Kammerauskleidung, Fokussierring oder Komponente eines Prozesskits, um Plasma einzuschließen und die Kammerwände vor Erosion zu schützen. Das Material bietet eine ausgezeichnete Plasmabeständigkeit, eine hohe Durchschlagsfestigkeit (15 × 10⁶ V/m) und thermische Stabilität bis 1600 °C und gewährleistet so eine lange Lebensdauer in aggressiven, fluorbasierten Plasmaumgebungen. Präzise Maßtoleranzen (±0,05 mm Innen-/Außendurchmesser) und eine hohe Planheit (≤10 μm) ermöglichen eine gleichmäßige Positionierung der Waferkanten, verbessern die Gleichmäßigkeit der Abscheidung und reduzieren die Partikelbildung.
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Bernoulli-Keramik-Endeffektor – Berührungslose Waferhandhabung für dünne und zerbrechliche Wafer
Der Bernoulli-Keramik-Endeffektor von St.Cera nutzt aerodynamischen Auftrieb zur berührungslosen Waferhandhabung. Er wird aus hochreinem 99,8%igem Aluminiumoxid (Al₂O₃) oder Siliziumkarbid (SiC) gefertigt und verfügt über präzisionsgefertigte Düsen, die unter Druck stehendes Gas ausstoßen, um einen dünnen Luftfilm zwischen Endeffektor und Wafer zu erzeugen. Dieses berührungslose Prinzip verhindert Verunreinigungen auf der Rückseite, Absplitterungen an den Kanten und Oberflächenbeschädigungen und ist daher ideal für dünne (≤100 µm), empfindliche oder verzogene Wafer. Das Keramiksubstrat bietet eine hohe Biegefestigkeit (361 MPa für Al₂O₃; bis zu 550–600 MPa für SiC), eine geringe Masse und eine ausgezeichnete Dimensionsstabilität. Dies gewährleistet eine wiederholgenaue Positionierung in Hochgeschwindigkeits-Wafer-Transferrobotern.
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Hochreine Aluminiumoxid-Keramikteile für Halbleiter- und Industrieanwendungen
St.Cera fertigt präzisionsbearbeitete Aluminiumoxid-Keramikteile (Al₂O₃) nach Kundenspezifikation. Die aus 99,8 % hochreinem Aluminiumoxid hergestellten Komponenten zeichnen sich durch exzellente Biegefestigkeit (361 MPa), hohe Härte (16 GPa) und hervorragende Durchschlagsfestigkeit (15 × 10⁶ V/m) aus. Das Material ist für Halbleiteranlagen, verschleißfeste Baugruppen, elektrische Isolatoren und Hochtemperaturvorrichtungen konzipiert und bietet eine nahezu nicht vorhandene Wasseraufnahme (0 %) sowie einen Wärmeausdehnungskoeffizienten von 7,2 × 10⁻⁶/°C. Dies gewährleistet Dimensionsstabilität auch unter extremen Bedingungen.
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Vakuumspannfutter aus poröser Keramik für die Handhabung verzogener Wafer
Der poröse Keramik-Chuck von St.Cera wird aus hochreinem Aluminiumoxid mit einer gleichmäßigen offenen Porosität von 30–45 % und Porengrößen von 10 bis 100 µm gefertigt. Im Gegensatz zu herkömmlichen gerillten Chucks erzeugt die poröse Oberfläche ein gleichmäßiges Vakuum auf der gesamten Wafer-Rückseite und hält so auch verzogene, dünne oder vereinzelte Wafer sicher, ohne dass es zu Kantenablösungen oder Brüchen kommt. Das sanfte Vakuum (einstellbar über einen Drosselventil) verhindert zudem Beschädigungen der Rückseite.
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Vakuumspannfutter aus poröser Keramik auf Aluminiumoxidbasis für die Handhabung dünner Wafer
Der poröse Aluminiumoxid-Chuck von St.Cera wird aus hochreinem Al₂O₃ (99,6 %) mit kontrollierter offener Porosität von 30–45 % und einer einheitlichen Porengröße von 10 bis 50 μm gefertigt. Im Gegensatz zu gerillten Chucks erzeugt die poröse Oberfläche ein gleichmäßiges Vakuum auf der gesamten Waferrückseite. Dadurch werden Kantenabdrücke vermieden und die schonende Fixierung ultradünner (≤ 100 μm) oder verzogener Wafer ermöglicht. Das Material bietet eine Biegefestigkeit von ≥ 250 MPa und thermische Stabilität bis 400 °C an Luft.
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Aluminiumoxid-Gasverteilerplatte für CVD/PVD-Duschkopf
Die Gasverteilerplatte (Duschkopf) von St.Cera wird präzisionsgefertigt aus hochreiner 99,8%iger Aluminiumoxidkeramik. Sie verfügt über eine Anordnung von Mikrobohrungen (Durchmesser 0,3–1,5 mm), die einen gleichmäßigen Gasfluss über die Waferoberfläche während CVD-, PVD- oder ALD-Prozessen gewährleisten. Die hohe Durchschlagsfestigkeit (>15×10⁶ V/m) und Plasmabeständigkeit der Platte machen sie unverzichtbar für die Halbleiter-Dünnschichtabscheidung.
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Keramischer Stützstift für Vorrichtungen in der Halbleiterfertigung
Die keramischen Stützstifte von St.Cera (auch als Hubstifte oder Stützstifte bekannt) werden in Halbleiterprozesskammern eingesetzt, um Wafer oder Substrate beim Handling, Erhitzen oder Abkühlen anzuheben. Hergestellt aus 99,8 % Aluminiumoxid oder Siliziumnitrid, bieten diese Stifte hohe Druckfestigkeit, thermische Stabilität und chemische Beständigkeit. Die halbkugelförmige oder flache Spitze verhindert Kratzer auf dem Wafer.
