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Kundenspezifische Bearbeitung von Al2O3-Keramik-Wafer-Chucks
Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.
Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.
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ST.CERA Kundenspezifische Halbleiteranlagen-Keramikplatte
Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.
Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.
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12-Zoll-Vakuumspannfutter aus Aluminiumoxid für die 300-mm-Waferbearbeitung
Der 12-Zoll-Vakuumspannfutter von St.Cera ist präzisionsgefertigt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃, 99,8 %) und für die Handhabung von 300-mm-Wafern ausgelegt. Die fein gerillte Oberfläche (Rillenbreite 0,5–1,0 mm, Teilung 2–3 mm) gewährleistet eine gleichmäßige Vakuumverteilung über den gesamten Durchmesser von 300 mm. Die Planheit liegt innerhalb von 5 μm, wodurch eine verzugsfreie Waferfixierung beim Vereinzeln, Rückseitenschleifen und der Inspektion ermöglicht wird. Die hohe Biegefestigkeit (361 MPa) und Härte (16 GPa) des Materials garantieren langfristige Dimensionsstabilität auch bei wiederholten Vakuumzyklen.
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Keramische Ersatzteile für Halbleiter-Sonden
Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.
Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.
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Träger für Halbleiteranlagen mit Keramikplatte
Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.
Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.
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Keramik-Ersatzteile für Halbleiteranlagen
Die durch Kaltisostatpressen geformten und bei hoher Temperatur gesinterten Keramik-Ersatzteile werden präzisionsbearbeitet und poliert und erfüllen dank ihrer Verschleißfestigkeit, Korrosionsbeständigkeit, geringen Wärmeausdehnung und Isolationseigenschaften selbst höchste Anforderungen an Halbleiteranlagen. Keramik eignet sich für den Langzeiteinsatz in vielen Halbleiterproduktionsanlagen unter Bedingungen hoher Temperaturen, Vakuum oder korrosiver Gase.
Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxidpulver, verarbeitet durch kaltisostatisches Pressen, Hochtemperatursintern und Präzisionsbearbeitung, erreicht es eine Maßtoleranz von ±0,001 mm, eine Oberflächenrauheit von Ra 0,1 und eine Temperaturbeständigkeit von 1600℃.
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Hochreiner Aluminiumoxid-Keramik-Dichtungsring für die Abdichtung von Hochtemperaturkammern
Der Keramik-Dichtungsring von St.Cera ist als Alternative zu Polymer-O-Ringen für extreme Umgebungen konzipiert, in denen Elastomere korrodieren. Hergestellt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃) mit einem Reinheitsgrad von 99,8 %, wird dieser starre Dichtring in statischen Dichtungsanwendungen eingesetzt – typischerweise in Kombination mit einer Weichmetall- oder Graphitdichtung – um zuverlässige Vakuum- oder Gasdichtheit bei Temperaturen bis zu 800 °C und in aggressiven Plasma- oder chemischen Umgebungen zu gewährleisten. Das Material ist ausgasfrei, weist eine hohe Druckfestigkeit (zugrundeliegende Biegefestigkeit 361 MPa) und chemische Inertheit auf (beständig gegen Halogene, Säuren und Laugen außer HF). Präzisionsgeläppte Dichtflächen (Ebenheit ≤ 5 μm, Oberflächenrauheit Ra ≤ 0,2 μm) gewährleisten einen leckagefreien Kontakt mit den entsprechenden Metall- oder Keramikkomponenten.
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Fokusring für hochreine Aluminiumoxidkammer für Plasmaätz- und CVD-Systeme
Der Kammerfokusring von St.Cera ist eine wichtige Komponente von Prozesskits für Plasmaätz-, CVD- und PVD-Halbleiteranlagen. Gefertigt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃) mit einem Reinheitsgrad von 99,8 %, umschließt der Ring den Waferrand, um das Plasma einzuschließen und die Winkelverteilung der Ionen zu optimieren. Dadurch wird die Ätzgleichmäßigkeit auf der gesamten Waferoberfläche verbessert. Das Material zeichnet sich durch außergewöhnliche Plasmabeständigkeit, hohe Durchschlagsfestigkeit (15 × 10⁶ V/m) und thermische Stabilität bis 1600 °C aus und gewährleistet so langfristige Zuverlässigkeit in aggressiven fluor- oder chlorbasierten Plasmaumgebungen. Präzisionsgeschliffene Innen- und Außendurchmesser sowie eine Planheit (≤ 10 μm) ermöglichen eine genaue Positionierung des Waferrandes und reduzieren Randdefekte und Partikelbildung.
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Hochreiner Aluminiumoxid-Keramikring für CVD-/PVD-Prozesskammern
Der Keramikring von St.Cera wurde speziell für den Einsatz in CVD- (Chemical Vapor Deposition) und PVD-Prozesskammern (Physical Vapor Deposition) entwickelt. Gefertigt aus hochreinem Aluminiumoxid (Al₂O₃) mit einem Reinheitsgrad von 99,8 %, dient dieser Ring als Kammerauskleidung, Fokussierring oder Komponente eines Prozesskits, um Plasma einzuschließen und die Kammerwände vor Erosion zu schützen. Das Material bietet eine ausgezeichnete Plasmabeständigkeit, eine hohe Durchschlagsfestigkeit (15 × 10⁶ V/m) und thermische Stabilität bis 1600 °C und gewährleistet so eine lange Lebensdauer in aggressiven, fluorbasierten Plasmaumgebungen. Präzise Maßtoleranzen (±0,05 mm Innen-/Außendurchmesser) und eine hohe Planheit (≤10 μm) ermöglichen eine gleichmäßige Positionierung der Waferkanten, verbessern die Gleichmäßigkeit der Abscheidung und reduzieren die Partikelbildung.
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Vakuumspannfutter aus poröser Keramik für die Handhabung verzogener Wafer
Der poröse Keramik-Chuck von St.Cera wird aus hochreinem Aluminiumoxid mit einer gleichmäßigen offenen Porosität von 30–45 % und Porengrößen von 10 bis 100 µm gefertigt. Im Gegensatz zu herkömmlichen gerillten Chucks erzeugt die poröse Oberfläche ein gleichmäßiges Vakuum auf der gesamten Wafer-Rückseite und hält so auch verzogene, dünne oder vereinzelte Wafer sicher, ohne dass es zu Kantenablösungen oder Brüchen kommt. Das sanfte Vakuum (einstellbar über einen Drosselventil) verhindert zudem Beschädigungen der Rückseite.
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Vakuumspannfutter aus poröser Keramik auf Aluminiumoxidbasis für die Handhabung dünner Wafer
Der poröse Aluminiumoxid-Chuck von St.Cera wird aus hochreinem Al₂O₃ (99,6 %) mit kontrollierter offener Porosität von 30–45 % und einer einheitlichen Porengröße von 10 bis 50 μm gefertigt. Im Gegensatz zu gerillten Chucks erzeugt die poröse Oberfläche ein gleichmäßiges Vakuum auf der gesamten Waferrückseite. Dadurch werden Kantenabdrücke vermieden und die schonende Fixierung ultradünner (≤ 100 μm) oder verzogener Wafer ermöglicht. Das Material bietet eine Biegefestigkeit von ≥ 250 MPa und thermische Stabilität bis 400 °C an Luft.
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Aluminiumoxid-Gasverteilerplatte für CVD/PVD-Duschkopf
Die Gasverteilerplatte (Duschkopf) von St.Cera wird präzisionsgefertigt aus hochreiner 99,8%iger Aluminiumoxidkeramik. Sie verfügt über eine Anordnung von Mikrobohrungen (Durchmesser 0,3–1,5 mm), die einen gleichmäßigen Gasfluss über die Waferoberfläche während CVD-, PVD- oder ALD-Prozessen gewährleisten. Die hohe Durchschlagsfestigkeit (>15×10⁶ V/m) und Plasmabeständigkeit der Platte machen sie unverzichtbar für die Halbleiter-Dünnschichtabscheidung.
